正确答案: D

第一、二磨牙缺失

题目:不能设计单端固定桥的是

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举一反三的答案和解析:

  • [单选题]下列关于二度Ⅰ型房室传导阻滞的描述不正确的是
  • 房室传导比例常为2:1~4:1


  • [单选题]选择固定桥基牙时不必考虑的因素是
  • 对侧牙的情况


  • [单选题]关于后堤区下列哪项是不正确的
  • 后堤区由前向后逐渐变浅


  • [单选题]下颌义齿基托需要缓冲的部位是
  • 下颌舌骨嵴

  • 解析:该题考虑的是无牙颌的分区问题,一般来说分为主承托区,副承托区,边缘封闭区,缓冲区,磨牙后垫属于边缘封闭区,而下颌舌骨嵴属于缓冲区,所以选B

  • [单选题]隐匿性旁路是指
  • 房室旁路仅有逆向传导功能


  • [单选题]对于单侧上颌结节有骨性倒凹者,可摘局部义齿修复时最佳的处理是( )
  • 调整就位道


  • [单选题]对于常用水门汀的主要组成,以下错误的是
  • 硅酸铝玻璃粉+正磷酸→玻璃离子水门汀

  • 解析:玻璃离子水门汀主要由硅酸铝玻璃粉与聚丙烯酸液体组成。

  • [单选题]以下关于固定桥桥体龈端的描述,错误的是
  • 最好为凸形

  • 解析:桥体龈端的形式,应有利于自洁作用。接触式桥体,在不影响美观的前提下,应尽可能减少龈端与牙槽嵴黏膜的接触面积。悬空式桥体龈端与黏膜之间保持一定的空隙,便于清洗。桥体龈端与黏膜之间应保持良好接触,既无间隙存在,又无过紧压迫黏膜,这样食物残屑不会滞留。桥体龈端都应高度抛光。粗糙的龈端使菌斑容易附着,导致黏膜炎症。

  • [多选题]下列有关烤瓷金属内冠除气的说法,正确的是
  • 除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体,并形成氧化膜

    非贵金属需在半真空下加热5分钟即可

    理想的氧层厚度是0.2~2μm

  • 解析:金属内冠除气的方法有: 避免瓷熔附时出现气泡 在基底表面形成氧化膜 排除合金中残留的气体选项BE叙述有错。

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