【名词&注释】
半导体(semiconductor)、横断面(cross section)、探测器(detector)、吸收剂量(absorbed dose)、薄膜晶体管(TFT)(thin film transistor (tft))、电荷耦合器件(CCD)(charge coupled device (ccd))
[单选题]应用光或其他能量表现被照体的信息状态，并以光学影像加以记录的技术是
A. 影像
B. 扫描
C. 摄影
D. 激发
E. 成像系统
查看答案&解析
举一反三：
[单选题]可以作为吸收剂量的单位的是
A. Sv和rad
B. R和rad
C. Gy和rad
D. Gy和Ci
E. Sv和Ci
[单选题]下列关于数字探测器像素设计的说法，正确的是
A. 薄膜晶体管(TFT)(thin film transistor (tft))只用于间接数字成像系统
B. 间接转换探测器X线元件和光敏元件应放置在探测器顶层
C. 直接转换数字探测器使用电荷耦合器件(CCD)(charge coupled device (ccd))代替TFT阵列
D. 间接转换探测器的半导体阵列比直接转换探测器更容易制造
E. TFT阵列利用光纤从闪烁体或增感屏上发出的光中采集图像
[单选题]成年女性乳房位于胸廓前第几肋水平的筋膜浅层与深层中间（ ）
A. 第1-5肋间
B. 第2-5肋间
C. 第1-6肋间
D. 第2-6肋间
E. 第3-6肋间
[单选题]多平面重组的显示形式没有：（ ）
A. 矢状面
B. 横断面
C. 冠状面
D. 曲面
E. 斜状面
[多选题]X线管两个相对的电极是指
A. 能极
B. 丝极
C. 正极
D. 阴极
E. 负极
本文链接：https://www.zhukaozhuanjia.com/download/5pw4qz.html
